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IXTH110N25T
IXTV110N25TS
160
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
140
120
160
140
T J = - 40oC
100
80
60
40
20
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
120
100
80
60
40
20
0
25oC
125oC
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 125V
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
100,000
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1
0.1
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
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